作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅材料被认为是功率半导体行业未来主要发展方向。从碳化硅器件的制造成本结构来看，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本，占比为23%。这两大工序制备难度大，技术和资金壁垒高，是行业发展的关键环节。
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。根据Yole数据，2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12亿美元和2.42亿美元，预计到2023年市场规模将分别达到6.84亿美元和2.81亿美元。
碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）等规格。碳化硅衬底正在不断向大尺寸的方向发展，目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸，8英寸处于研发阶段。国内厂商中，天科合达、天岳先进为行业龙头企业，2022年天岳先进碳化硅衬底产量7.11万片，同比增长5.82%。
